Samsung 850 Evo MZ-75E500B 500GB

V čem je nová řada lepší?Celkový vyšší výkon o cca 10%.Vyšší spolehlivost a delší záruka.Díky modernější architektuře je disk spolehlivější a díky tomu má prodlouženou záruku 5 let (nebo 75 / 150 TB zapsaných dat).Nízká spotřeba.Až o 30% nižší spotřeba než předchozí řada.Bezpečnost dat:.850 EVO podporuje šifrování Class 0 SED, TCG/Opal v.2.0 a Microsoft''''s eDrive.Model Code.MZ-75E500BW.Attribute.Value.General Feature.Application.Client PCs.Capacity.500 GB (1GB=1 Billionbyte by IDEMA) * Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise).Form Factor.2.5 inch Form Factor.Interface.SATA 6Gb/s Interface, compatible with SATA 3Gb/s & SATA 1.5Gb/s interface.Dimension (WxHxD).100 X 69.85 X 6.8 (mm) Dimension.Weight.Max 45.0g Weight.Storage Memory.Samsung 32 layer 3D V-NAND.Controller.Samsung MGX Controller.Cache Memory.Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM.Special Feature.TRIM Support.TRIM Supported.S.M.A.R.T Support.S.M.A.R.T Supported.GC (Garbage Collection).Auto Garbage Collection Algorithm.Encryption Support.AES 256 bit Encryption (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive).WWN Support.World Wide Name supported.Device Sleep Mode Support.Yes.Performance.Sequential Read.Up to 540 MB/sec Sequential Read * Performance may vary based on system hardware & configuration.Sequential Write.Up to 520 MB/sec Sequential Write * Performance may vary based on system hardware & configuration.Random Read (4KB, QD32).Up to 98,000 IOPS Random Read * Performance may vary based on system hardware & configuration.Random Write (4KB, QD32).Up to 90,000 IOPS Random Write * Performance may vary based on system hardware & configuration.Random Read (4KB, QD1).Up to 10,000 IOPS Random Read * Performance may vary based on system hardware & configuration.Random Write (4KB, QD1).Up to 40,000 IOPS Random Write * Performance may vary based on system hardware & configuration.Environment.Average Power Consumption (system level).Average: 3.0 Watts.. Maximum: 3.5 Watts (Burst mode).Power consumption (Idle).Max. 50mWatts * Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration.Allowable Voltage.5V ± 5% Allowable voltage.Reliability (MTBF).1.5 Million Hours Reliability (MTBF).Operating Temperature.0 - 70 ? Operating Temperature.Shock.1,500G & 0.5ms (Half sine).Accessories.Installation Kit.Not Available.Software.Management SW.Magician Software for SSD management.Warranty.5 Years Limited Warranty or 150TBW Limited Warranty.Vlastnosti.Co je architektura 3D V-NAND a čím se liší od stávající technologie?Optimalizace každodenní práce s počítačem prostřednictvím technologie TurboWrite, která přináší bezkonkurenční rychlost čtení a zápisu.Zařaďte vyšší rychlost s vylepšeným režimem RAPID.Zaručená životnost a spolehlivost díky technologii 3D V-NAND.Co je architektura 3D V-NAND a čím se liší od stávající technologie?Jedinečná a inovativní architektura pamětí flash 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje průlom v překonávání omezení hustoty, výkonu a životnosti současné běžné planární architektury NAND. Při výrobě pamětí 3D V-NAND se nezmenšují rozměry buněk, aby se vešly do vodorovného rozměru s pevnou velikostí, ale buňky skládají do 32 vrstev nad sebou, výsledkem čehož je vyšší hustota a větší výkon na menší ploše.Optimalizace každodenní práce s počítačem prostřednictvím technologie TurboWrite, která přináší bezkonkurenční rychlost čtení a zápisu.Dosáhněte špičkového výkonu čtení a zápisu a maximalizujte svou produktivitu při každodenní práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite od společnosti Samsung. Nejenže získáte o více než 10 % lepší uživatelský zážitek než s diskem 840 EVO*, ale také až 1,9x vyšší rychlost náhodného zápisu ve srovnání s modely s kapacitou 120 či 250 GB**. Disk 850 EVO poskytuje špičkový výkon ve své třídě co se týče rychlosti sekvenčního čtení (540 MB/s) i zápisu (520 MB/s). Získáte také optimalizovaný výkon náhodného přístupu při všech délkách fronty ve scénáři použití na klientském počítači.PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO).Náhodný zápis (QD 32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO).Zařaďte vyšší rychlost s vylepšeným režimem RAPID.Software Magician od společnosti Samsung poskytuje režim Rapid, který využívá volnou paměť počítače (DRAM) jako mezipaměť a tím umožňuje až dvakrát rychlejší zpracování dat* na systémové úrovni. Nejnovější software Magician zvyšuje maximální možné využití paměti v režimu Rapid z 1 GB u předchozí verze disku 840 EVO až na 4 GB u verze 850 EVO, pokud je k dispozici 16 GB paměti DRAM. Můžete také získat až dvojnásobné zvýšení výkonu* při všech hloubkách fronty náhodného přístupu.PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (režim Rapid).Zaručená životnost a spolehlivost díky technologii 3D V-NAND.Disk 850 EVO poskytuje zaručenou životnost a spolehlivost prostřednictvím dvojnásobné hodnoty TBW* ve srovnání s předchozí generací disku 840 EVO** a vztahuje se na něj špičková pětiletá záruka. Díky minimální degradaci výkonu disk 850 EVO umožňuje dlouhodobé zvýšení výkonu oproti disku 840 EVO až o 30%, čímž se stává jedním z nejspolehlivějších úložných zařízení***.TBW: Total Bytes Written (celkový počet zapsaných bajtů).TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 GB / 1 TB).Dlouhodobý výkon (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), výkon měřen po 12hodinovém testu náhodného zápisu.Delší používání počítače díky energeticky úspornější technologii 3D V-NAND.Disk 850 EVO je vybavený řadičem optimalizovaným pro technologii 3D V-NAND, který nyní umožňuje spánkový režim zařízení při vysoce efektivní spotřebě 2 mW, čímž podstatně prodlužuje výdrž baterie notebooku. Díky technologii 3D V-NAND, která má ve srovnání s planární technologií 2D NAND poloviční spotřebu energie, je nyní disk 850 EVO při operacích zápisu* o 25 % úspornější než disk 840 EVO.Spotřeba (250 GB): 3,2 W (840 EVO) > 2,4 W (850 EVO).Zabezpečení cenných dat prostřednictvím pokročilého šifrování AES 256.Disk 850 EVO je vybavený nejnovějším hardwarovým systémem šifrování celého disku. Bezpečnostní technologie 256bitového šifrování AES zabezpečuje data bez jakéhokoli zhoršení výkonu a vyhovuje standardu TCG Opal 2.0. Je také kompatibilní s protokolem Microsoft e-drive IEEE1667, takže budete mít jistotu, že vaše data jsou neustále chráněna.Ochrana proti přehřátí pomocí vysoce účinného algoritmu Dynamic Thermal Guard.Algoritmus Dynamic Thermal Guard disku 850 EVO neustále sleduje a udržuje ideální teplotu, aby disk mohl pracovat v optimálních podmínkách zaručujících integritu dat. V případě, že teplota vzroste nad optimální prahovou hranici, algoritmus Thermal Guard teplotu automaticky sníží, aby chránil data a počítač před přehřátím, a současně zachová rychlost odezvy.Jednoduchý přechod na disk 850 EVO bez jakýchkoli potíží.Software One-stop Install Navigator od společnosti Samsung vám umožňuje snadno přenést všechna data z vašeho stávajícího primárního úložiště na disk 850 EVO ve třech jednoduchých krocích. Software Samsung Magician rovněž umožňuje optimalizaci a správu systému způsobem, který je nejvhodnější pro disk SSD.Získejte integrované řešení obsahující komponenty špičkové kvality vyvinuté přímo společností Samsung.Samsung je jediná společnost, která navrhuje a vyrábí všechny součásti vlastními silami, což jí umožňuje dosahovat úplné a optimální integrace. Výsledkem je vyšší výkon, nižší spotřeba energie díky mezipaměti LPDDR2 DRAM s kapacitou až 1 GB a vyšší energetická efektivita.